Товаров в корзине: 0
Память GOODRAM 4 Гб, DDR3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, 1600MHz (GR1600D3V64L11S/4G)
Полное описание
4096 Мб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В
Код производителя
GR1600D3V64L11S/4G
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR-3
Линейка
стандартная
Объём памяти
4096 Мб
Объем одного модуля
4096 Мб
Количество модулей в комплекте
1
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
Дополнительно
Напряжение питания
1.35 В
Система охлаждения
нет
Внимание! Просим Вас проверять информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте
производителя или у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и
характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Технические
характеристики и цена на данном сайте носят исключительно информационный характер и не являются
публичной офертой. Если Вы обнаружили ошибку, пожалуйста,
сообщите нам об этом
.
Отзыв отправлен! После модерации он появится на сайте.