Товаров в корзине: 0
Память SAMSUNG 4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, CL17, 1.2 В, 2666MHz, SO-DIMM (M471A5244CB0-CTD)
Полное описание
Артикул производителя (Part Number) M471A5244CB0-CTD
Стандарт DDR4
Форм-фактор SODIMM
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 4 ГБ
Эффективная частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 Мб/с
Поддержка ECC Нет
Буферизованная (регистровая) Нет
Основные характеристики CAS Latency (CL) 17
Напряжение питания 1.2 В
Нормальная операционная температура (Tcase) 75 °C
Радиатор Нет
Вес брутто 50
Внимание! Просим Вас проверять информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте
производителя или у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и
характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Технические
характеристики и цена на данном сайте носят исключительно информационный характер и не являются
публичной офертой. Если Вы обнаружили ошибку, пожалуйста,
сообщите нам об этом
.
Отзыв отправлен! После модерации он появится на сайте.